Memorie, Tutto ciò che riguarda le news sulla Ram

Fonti da Hardware Upgrade e PcTuner

CM2X2048-6400C5DHX: kit DDR2 4GB da Corsair

Paolo Corsini

“Capacità di 4 Gbytes per il nuovo kit memoria DDR2 CM2X2048-6400C5DHX proposto da Corsair: una frequenza di clock di 800 MHz e timings conservativi sono abbinati al sistema di raffreddamento DHX. La risultante è quella di un kit capace di buone prestazioni, proposte ad un prezzo particolarmente aggressivo”





Nel corso delle ultime settimane abbiamo analizzato differenti kit memoria, tutti caratterizzati da alcuni elementi comuni: l'utilizzo di moduli DDR2 e il mettere a disposizione ben 4 Gbytes di capacità complessiva. Alla base di queste caratteristiche troviamo il ridotto costo delle memorie DDR2, sceso nel corso di tutto il 2007 su valori che difficilmente sarebbero potuti diminuire ulteriormente, unitamente alle elevate richieste di sistema di Windows Vista, sistema operativo che beneficia della disponibilità di 4 Gbytes di memoria rispetto ai 2 Gbytes che tipicamente vengono forniti in sistemi desktop.

Analizziamo con questo articolo le memorie Corsair TWIN2X4096 6400C5DHX, nome molto complesso che identifica un kit di moduli DDR2-800 da 2 Gbytes di capacità ciascuno, dotato di latenza CAS pari a 5 e caratterizzato dalla tecnologia DHX per il sistema di raffreddamento. Le immagini dei moduli evidenziano chiaramente come si tratti del sistema sviluppato da Corsair che prevede un PCB dallo sviluppo in altezza superiore alla media, sul quale è montato un sistema di dissipazione che interviene sia sui chip memoria che sullo stesso PCB assicurando, a detta di Corsair, una più efficace dissipazione del calore nel momento in cui si overcloccano i moduli.




L'etichetta posta sul modulo ne riporta tutte le caratteristiche tecniche: a fronte di una capienza di 2 Gbytes per modulo e di una frequenza di clock massima certificata in 800 MHz, troviamo timings pari a 5-5-5-18 con un voltaggio di alimentazione di 1,8V. Queste ultime sono le specifiche JEDEC per memorie DDR2-800: i moduli Corsair, pertanto, sono quanto a specifiche di funzionamento base pienamente corrispondenti alle specifiche JEDEC, con il solo sistema di raffreddamento adottato a far pensare che vi possano essere margini di tolleranza all'overclock più elevati rispetto ad un modulo memoria standard.

Le memorie Corsair sono quelle caratterizzate dalle impostazioni più conservative, bilanciate tuttavia dal voltaggio di alimentazione che è quello delle specifiche JECED pari a 1,8V contro i 2,0V o 2,1V richiesti dagli altri moduli di simile capacità. Alla luce di queste specifiche ci attendiamo quindi inferiori margini di overcloccabilità medi per il kit Corsair rispetto a quanto evidenziato dalle altre soluzioni.

Edited by -=|Å£ëx¡ø®|=- - 22/8/2008, 01:01

Nuovi moduli di memoria X-Line da Mushkin

Fabio Gozzo

“Mushkin annuncia la disponibilità dei tre nuovi kit di memoria della serie X-Line, una linea dedicata agli amanti del modding”

Mushkin Enhanced, produttore piuttosto noto al pubblico per la qualità delle proprie memorie, annuncia la disponibilità di 3 nuovi kit di memoria appartenenti alla serie X-Line, una nuova linea dedicata agli amanti del modding e a coloro che badano ad ogni dettaglio estetico del proprio computer. Rispetto ai tradizionali moduli di memoria prodotti da Mushkin, i tre nuovi kit presentano un PCB di color nero e sono dotati di una copertura in alluminio nera, bianca o fucsia.



Tutti e tre i nuovi kit sono composti da 2 banchi di memoria DDR2 da 2GB ciascuno. Di seguito vi riportiamo nel dettaglio le caratteristiche tecniche di ciascun kit:
996580X: memorie DDR2 PC2-6400 a 800MHz, dotate di EPP (Enhanced Performance Profiles) e timings 4-4-4-12;
996580wX: memorie DDR2 PC2-6400 a 800MHz, dotate di EPP (Enhanced Performance Profiles) e timings 4-4-4-12;
996593X: memorie DDR2 PC2-8000 a 1000MHz, dotate di EPP (Enhanced Performance Profiles) e timings 5-5-5-12;

Mushkin ha inoltre posto particolare enfasi sulla qualità dei propri moduli, sottolineando come le nuove memorie siano in grado di fornire interessanti margini di overclock. Al momento i 3 kit di memoria sono disponibili sul sito Web di Mushkin in offerta ad un prezzo che si aggira intorno ai 110 dollari.

Intel: nuove tecnologie per memorie cache

Andrea Bai

“Intel illustra un prototipo realizzato con una nuova tecnologia produttiva che promette di incrementare le densità delle memorie cache”

Intel compie passi avanti nella ricerca e sviluppo di una nuova tecnologia che consentirebbe la produzione di memorie cache alternative rispetto a quelle comunemente utilizzate oggi. Si tratta delle memorie cosiddette Floating Body Cell, alle quali il colosso californiano sta lavorando già dal 2006.

Le memorie cache vengono utilizzate per conservare dati ai quali è necessario accedere frequentemente, in modo tale che questi dati possano essere resi disponibili più velocemente rispetto ad uno stoccaggio su hard disk o sulla memoria di sistema. E' chiaro che una maggiore densità di memoria per le cache comporterebbe interessanti vantaggi.

Le celle delle memorie cache, che di fatto sono memorie SRAM, vengono realizzate con sei transistor e sono in grado di conservare un bit di informazione. Obiettivo è di riuscire ad arrivare all'impiego di un solo transistor per un bit di informazione. Questo tipo di struttura è giù utilizzato nelle normali memorie DRAM, le cui celle sono costituite da un transistor, che tuttavia risultano troppo lente per un impiego come memorie cache ed anche più costose da produrre.

Il principio sul quale si basano le memorie di tipo Floating Body Cell prevede la conservazione di una carica elettrica in una cella di memoria interposta tra uno strato di Silicon-On-Insulator e un gate di un transistor. Grazie all'affinamento dei processi produttivi, Intel ha potuto realizzare un prototipo utilizzando un gate metallico da 45 nanometri e posizionando la cella di memoria tra esso e un substrato SOI (silicon-on-insulator) di appena 22 nanometri di spessore.

Le memorie FBC risultano comunque meno veloci rispetto alle memorie SRAM ma sono meno costose da produrre. La possibilità di utilizzare un solo transistor per ogni bit di informazione consente inoltre di poter raggiungere elevate densità di memoria permettendo in un futuro di realizzare processori con elevati quantitativi di memoria cache integrata.

Intel non ha tuttavia rivelato particolari prospettive di impiego per questo nuovo tipo di memorie, precisando che prima di poter giungere alla fase di implementazione ed integrazione in un chip è necessario dover fronteggiare una serie di problemi: attualmente infatti le più diffuse implementazioni SOI prevedono un substrato dallo spessore maggiore rispetto a quello utilizzato per la realizzazione del prototipo di Intel e per i processi produttivi attuali non è ancora possibile realizzare un unico chip con substrati di spessori differenti.

Tecnologia Z-RAM da AMD


Nel mese di Dicembre 2005 AMD ha acquisito una licenza d'uso per la tecnologia Z-RAM, sviluppata da Innovative Silicon: permette di costruire memoria di tipo embedded senza utilizzare condensatori (Zero Capacitor RAM, questo il nome completo)
Nel mese di Dicembre 2005 AMD ha acquisito una licenza d'uso per la tecnologia Z-RAM, sviluppata da Innovative Silicon: permette di costruire memoria di tipo embedded senza utilizzare condensatori (Zero Capacitor RAM, questo il nome completo) ed è quindi particolarmente indicata in quelle applicazioni per le quali si voglia abbinare elevata capacità con superficie ridotta.

AMD ha recentemente concluso un accordo per la licenza d'uso della seconda generazione di memoria Z-RAM, che può essere utilizzata in abbinamento a tecnologia Silicon On Insulator. La conseguenza diretta è che AMD potrebbe in futuro adottare questa tecnologia per le memorie SRAM, quindi quelle cache, integrate all'interno delle proprie cpu.

La tecnologia Z-RAM, stando agli sviluppatori, permetterebbe di memorizzare 5 Mbit, corrispondenti a 625 Kbytes, di memoria SRAM per ogni millimetro quadrato di superficie, utilizzando tecnologia produttiva a 65 nanometri. Nel passaggio alla tecnologia produttiva a 45 nanometri la capacitò di memorizzazione per millimetro quadrato dovrebbe passare a 10 Mbit.

Questo permetterebbe, ad esempio, di ottenere una memoria cache da 10 Mbytes di capacità utilizzando un'area del processore pari a soli 16 millimetri quadrati. Considerando che al momento attuale la maggior parte della superficie di un processore è occupata proprio dalle memorie cache, si capisce che l'adozione di una tecnologia di questo tipo apre spazio a processori con die sempre più piccoli, oppure con die invariati ma cache estremamente più grandi.

Craig Sander, Technology Development VP per AMD, ha anticipato che questa tecnologia si presenta come un'alternativa di notevole interesse per l'adozione in prossime generazioni di processori del produttore americano. Resta ora da capire quando la tecnologia Z-RAM troverà spazio nella roadmap delle future soluzioni AMD per sistemi sia desktop che server.

Secondo voi e Importante avere tanti Giga di Ram?